Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN : - Đặng, Hồng Cám (Trường Đại học Cần Thơ, 2012)
Luận văn trình bày sơ lược về linh kiện giếng lượng tử. Trình bày về cấu trúc dị chất, nói về phương pháp nuôi cấu trúc dị chất cụ thể là phương pháp epitaxy chùm phân tử (MBE) và phân loại các cấu trúc dị chất. Trình bày một số đặc tính cơ bản của hệ vật liệu GaN / AlxGa1-xN. Mô tả đặc trưng về cấu trúc mạng cũng như cấu trúc vùng năng lượng của cấu trúc dị chất này. Tính giải tích các biểu thức toán học cho thế giam giữ V(z) cho trường hợp tạp nền và tạp điều biến trong cấu trúc dị chất đơn GaN / AlxGa1-xN. Tính số và thảo luận về phân bố khí điện tử giả hai chiều hình thành trong cấu trúc dị chất đơn GaN / AlxGa1-xN cho trường hợp tạp nền và tạp điều biến với các chương trình máy tính.