AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor Heterojunction Field-Effect Transistors Using BN and AlTiO High-k Gate Insulators
Introduction; Fabrication process methods for AlGaN/GaN MIS-HFETs; BN thin films and BN/AlGan/GaN MIS-HFETs; ...
שמור ב:
| מחבר ראשי: | |
|---|---|
| שפה: | eng |
| גישה מקוונת: | https://dlib.udn.vn/module/chi-tiet-sach?RecordID=1958 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Công nghệ thông tin và Học liệu số, Đại học Đà Nẵng |
|---|
היה/י הראשונ/ה לכתוב הערה!