AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor Heterojunction Field-Effect Transistors Using BN and AlTiO High-k Gate Insulators

Схожие документы

• Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
  по: Than, Hong Phuc, et al.
  Опубликовано: (2022)
• Improved AlGaN/GaN HEMT Performance by Using Field Plate and Passivation Layer
  по: Than, Hong Phuc, et al.
  Опубликовано: (2022)
• Pentacene thin film transistors with various polymer gate insulators /
• Khảo sát một số hiện tượng quang phi tuyến trong cấu trúc dị chất AlGaN/GaN :
  по: Phạm, Thị Thúy Oanh
  Опубликовано: (2014)
• Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn GaN/AlGaN :
  по: Đặng, Hồng Cám
  Опубликовано: (2012)