Nguyễn, Đ. C., & Shih, C. (2023). Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors.
Trích dẫn kiểu ChicagoNguyễn, Đăng Chiến, và Chun-Hsing Shih. Oxide Thickness-dependent Effects of Source Doping Profile On the Performance of Single- and Double-gate Tunnel Field-effect Transistors. 2023.
Trích dẫn MLANguyễn, Đăng Chiến, và Chun-Hsing Shih. Oxide Thickness-dependent Effects of Source Doping Profile On the Performance of Single- and Double-gate Tunnel Field-effect Transistors. 2023.
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.