रिकॉर्ड उद्धरण

एपीए उद्धरण

Võ, T. T. V., Bùi, Đ. H., Nguyễn, V. C., & Nguyễn, N. H. (2023). Tính chất điện tử của đơn lớp galinium selenide: Các tính toán bằng lý thuyết hàm mật độ.

शिकागो स्टाइल उद्धरण

Võ, Thị Tuyết Vi, Đình Hợi Bùi, Văn Chương Nguyễn, और Ngọc Hiếu Nguyễn. Tính Chất điện Tử Của đơn Lớp Galinium Selenide: Các Tính Toán Bằng Lý Thuyết Hàm Mật độ. 2023.

एमएलए उद्धरण

चेतावनी: ये उद्धरण हमेशा 100% सटीक नहीं हो सकते हैं.