Phân tích tĩnh điện mở rộng của cổng vật liệu kép xung quanh ống FET (DMGAA-TFET)
שמור ב:
פורמט: | Bài viết |
---|---|
שפה: | Vietnamese |
יצא לאור: |
2024
|
נושאים: | |
גישה מקוונת: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/229924 |
תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
פריטים דומים
-
Nghiên cứu về Ft và Fmax trong Si và Si1-xGex dựa trên vật liệu đơn và đôi theo kênh của kép FETs cho các ứng dụng RF
יצא לאור: (2024) -
Vỏ hình nón bao xung quanh cổng MOSFET: Một khả năng trong họ cổng bao quanh
יצא לאור: (2024) -
Các lỗ hổng tạo sự hấp thụ hoàn hảo trong siêu vật liệu
יצא לאור: (2024) -
Các tính chất cơ-nhiệt của ống nano carbon và các ứng dụng trong quản lý nhiệt
יצא לאור: (2024) -
Sử dụng curcumin như đầu dò huỳnh quang để giám sát trực tiếp sự hấp thu trong ống nghiệm curcumin kết hợp các hạt nano PLA-TPGS nạp paclitaxel
יצא לאור: (2024)