(2024). Nghiên cứu về Ft và Fmax trong Si và Si1-xGex dựa trên vật liệu đơn và đôi theo kênh của kép FETs cho các ứng dụng RF.
استشهاد بنمط شيكاغوNghiên Cứu Về Ft Và Fmax Trong Si Và Si1-xGex Dựa Trên Vật Liệu đơn Và đôi Theo Kênh Của Kép FETs Cho Các ���ng Dụng RF. 2024.
MLA استشهادNghiên Cứu Về Ft Và Fmax Trong Si Và Si1-xGex Dựa Trên Vật Liệu đơn Và đôi Theo Kênh Của Kép FETs Cho Các ���ng Dụng RF. 2024.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.