Bui, H. T., Shih, C., & Nguyen, D. C. (2024). A VERY LOW BANDGAP LINE-TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL-BURIED OXIDE AND LATERALLY DOPED POCKET. Trường Đại học Đà Lạt.
Citación estilo ChicagoBui, Huu Thai, Chun-Hsing Shih, và Dang Chien Nguyen. A VERY LOW BANDGAP LINE-TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL-BURIED OXIDE AND LATERALLY DOPED POCKET. Trường Đại học Đà Lạt, 2024.
Cita MLABui, Huu Thai, Chun-Hsing Shih, và Dang Chien Nguyen. A VERY LOW BANDGAP LINE-TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL-BURIED OXIDE AND LATERALLY DOPED POCKET. Trường Đại học Đà Lạt, 2024.
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.