Nghiên cứu ảnh hưởng của vật liệu đế α-SiO2 đến khả năng hấp phụ khí CO của graphene bằng tính toán mô phỏng lý thuyết phiếm hàm mật độ

Cơ chế hấp phụ phân tử khí CO trên bề mặt của graphene tự do và graphene đặt trên vật liệu đế α-SiO2 (G/SiO2) được nghiên cứu bằng phương pháp mô phỏng lý thuyết hàm mật độ. Kết quả tính toán cho thấy sự hấp phụ khí CO trên bề mặt graphene là hấp phụ vật lý điển hình. Các thuộc tính hấp phụ của khí...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Phùng, Thị Việt Bắc, Phạm, Bá Lịch, Đinh, Văn An
Format: Artikel
Sprache:Vietnamese
Veröffentlicht: 2025
Schlagworte:
Online Zugang:https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/258040
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt