Nghiên cứu ảnh hưởng của vật liệu đế α-SiO2 đến khả năng hấp phụ khí CO của graphene bằng tính toán mô phỏng lý thuyết phiếm hàm mật độ

Cơ chế hấp phụ phân tử khí CO trên bề mặt của graphene tự do và graphene đặt trên vật liệu đế α-SiO2 (G/SiO2) được nghiên cứu bằng phương pháp mô phỏng lý thuyết hàm mật độ. Kết quả tính toán cho thấy sự hấp phụ khí CO trên bề mặt graphene là hấp phụ vật lý điển hình. Các thuộc tính hấp phụ của khí...

Deskribapen osoa

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
Egile Nagusiak: Phùng, Thị Việt Bắc, Phạm, Bá Lịch, Đinh, Văn An
Formatua: Artikulua
Hizkuntza:Vietnamese
Argitaratua: 2025
Gaiak:
Sarrera elektronikoa:https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/258040
Etiketak: Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt