Nghiên cứu ảnh hưởng của vật liệu đế α-SiO2 đến khả năng hấp phụ khí CO của graphene bằng tính toán mô phỏng lý thuyết phiếm hàm mật độ

Cơ chế hấp phụ phân tử khí CO trên bề mặt của graphene tự do và graphene đặt trên vật liệu đế α-SiO2 (G/SiO2) được nghiên cứu bằng phương pháp mô phỏng lý thuyết hàm mật độ. Kết quả tính toán cho thấy sự hấp phụ khí CO trên bề mặt graphene là hấp phụ vật lý điển hình. Các thuộc tính hấp phụ của khí...

Descrición completa

Gardado en:
Detalles Bibliográficos
Những tác giả chính: Phùng, Thị Việt Bắc, Phạm, Bá Lịch, Đinh, Văn An
Formato: Artigo
Idioma:Vietnamese
Publicado: 2025
Những chủ đề:
Acceso en liña:https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/258040
Các nhãn: Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt