Nghiên cứu ảnh hưởng của vật liệu đế α-SiO2 đến khả năng hấp phụ khí CO của graphene bằng tính toán mô phỏng lý thuyết phiếm hàm mật độ

Cơ chế hấp phụ phân tử khí CO trên bề mặt của graphene tự do và graphene đặt trên vật liệu đế α-SiO2 (G/SiO2) được nghiên cứu bằng phương pháp mô phỏng lý thuyết hàm mật độ. Kết quả tính toán cho thấy sự hấp phụ khí CO trên bề mặt graphene là hấp phụ vật lý điển hình. Các thuộc tính hấp phụ của khí...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Những tác giả chính: Phùng, Thị Việt Bắc, Phạm, Bá Lịch, Đinh, Văn An
פורמט: Bài viết
שפה:Vietnamese
יצא לאור: 2025
נושאים:
גישה מקוונת:https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/258040
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt