Nghiên cứu ảnh hưởng của lớp ô-xit cực cổng tới thiết kế cực nguồn và kênh của các Transistor thường xuyên hầm - Đạo, Thị Kim Anh (Trường Đại học Đà Lạt, 2017)
Tranzito trường xuyên hầm (tunnel field-effect transistor (TFET)) đang được xem là linh kiện tiềm năng cho các mạch tích hợp có công suất thấp. Cơ chế xuyên hầm qua vùng cấm hoạt động chủ yếu tại vùng chuyển tiếp cực nguồn–kênh nên kỹ thuật pha tạp cực nguồn được xem như một phương pháp hiệu quả để nâng cao đặc tính hoạt động của TFET. Luận văn này nghiên cứu chi tiết vai trò của việc giảm bề dày lớp ô-xít cực cổng khi thu nhỏ kích thước của tranzito trường xuyên hầm có cấu trúc khối và cấu trúc thân mỏng. Đặc biệt, chúng tôi nghiên cứu một đặc tính mới về sự ảnh hưởng của biên dạng tạp chất cực nguồn đến đặc tính hoạt động của các TFET đơn cổng và TFET lưỡng cổng sử dụng vật liệu Ge phụ thuộc vào bề dày ô-xít tương đương (EOT). Phương pháp mô phỏng hai chiều dựa trên phần mềm MEDICI được sử dụng để đưa ra đặc tính điện của các linh kiện TFET.