Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều - Nguyễn, Thị Thu (Trường Đại học Đà Lạt, 2018)
Tranzito hiệu ứng trường kim loại-ôxít-bán dẫn (metal-oxidesemiconductor field-effect transistor (MOSFET)) hoạt động dựa trên cơ chế khuếch tán nhiệt (thermal diffusion) truyền thống, có độ dốc dưới ngưỡng (subthreshold swing (SS)) từ 60 mV/decade trở lên tại nhiệt độ phòng. Điều này làm hạn chế khả năng thu nhỏ kích thước vật lý và giới hạn việc giảm điện áp nguồn cấp (power supply voltage) của linh kiện MOSFET. Không giống như MOSFET, tranzito trường xuyên hầm (tunnel field-effect transistor (TFET)) hoạt động với cơ chế xuyên hầm qua vùng cấm (band-to-bandtunneling (BTBT)) của chất bán dẫn; có độ dốc dưới ngưỡng nhỏ hơn 60mV/decade đã được chứng minh bởi lý thuyết và thực nghiệm. Do đó, TFET thích hợp để sử dụng trong các mạch có công suất tiêu thụ thấp và kích thước nhỏ trong tương lai.