DRAM circuit design : Fundamentals and high-speed topics
Dynamic Random Access Memory (DRAM) technology has been one of the greatestdriving forces in the advancement of solid-state technology. With its ability to produce high product volumes and low pricing, it forces solid-state memory manufacturers to work aggressively to cut costs while maintaining, if...
Đã lưu trong:
Định dạng: | Sách |
---|---|
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Hoboken, N. J.
Wiley-Interscience
2008
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
LEADER | 01186nam a2200205Ia 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | CTU_133006 | ||
008 | 210402s9999 xx 000 0 und d | ||
020 | |c 70.7 | ||
082 | |a 621.3973 | ||
082 | |b D757 | ||
245 | 0 | |a DRAM circuit design : | |
245 | 0 | |b Fundamentals and high-speed topics | |
245 | 0 | |c Brent Keeth ... [et al.] | |
260 | |a Hoboken, N. J. | ||
260 | |b Wiley-Interscience | ||
260 | |c 2008 | ||
520 | |a Dynamic Random Access Memory (DRAM) technology has been one of the greatestdriving forces in the advancement of solid-state technology. With its ability to produce high product volumes and low pricing, it forces solid-state memory manufacturers to work aggressively to cut costs while maintaining, if not increasing, their market share. As a result, the state of the art continues to advance owing to the tremendous pressure to get more memory chips from each silicon wafer, primarily through process scaling and clever design | ||
650 | |a Random access memory,Electronic circuit design,Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên,Thiết kế mạch điện tử | ||
904 | |i Nguyên | ||
980 | |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |