Độ tái chuẩn hóa khe vùng của dây lượng tử trong gần đúng lưỡng cực Plasmon : Luận văn thạc sĩ vật lý. Chuyên ngành : Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Luận văn trình bày một số vấn đề cơ bản của hình thức luận hàm Green Matsubara làm cơ sở cho việc tính toán phổ năng lượng riêng đơn hạt và độ tái chuẩn hóa khe dải trong phạm vi gần đúng. Ngoài ra, luận văn còn xem xét mô hình dây giếng...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Trần, Hữu Hạnh |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2009
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
Những quyển sách tương tự
Những quyển sách tương tự
-
Hiệu ứng chắn động trong dây lượng tử kích thích cao với gần lượng cực plasmon :
Bỡi: Thi, Trần Anh Tú
Được phát hành: (2010) -
Mô phỏng nghiên cứu sự ảnh hưởng của các tham số cấu trúc của Bạc đến hiệu ứng Plasmon bề mặt để nâng cao hiệu suất của pin quang điện :
Bỡi: Trương, Thanh Tuấn
Được phát hành: (2020) -
Vật lý plasma
Bỡi: Nguyễn Hữu Chí
Được phát hành: (1995) -
Plasma physics :
Được phát hành: (2003) -
Lập trình mô phỏng dựa trên phương pháp phổ phát xạ để xác định đặc tính của Plasma Helium :
Bỡi: Nguyễn, Thị Ngọc Tuyền
Được phát hành: (2019)