Nghiên cứu lý thuyết về việc mở rộng vùng cấm trong Graphene hai lớp (Armchair bilayer Graphene) bằng cách sử dụng điện trường ngoài : Luận văn Thạc sĩ Vật lí. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Nội dung của đề tài nghiên cứu là giới thiệu cơ sở lí thuyết về cấu trúc năng lượng và các phương pháp tính cấu trúc vùng năng lượng, mô hình Hamiltonian của Armchair Graphene hai lớp
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Võ, Văn Hoà |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2016
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
Những quyển sách tương tự
Những quyển sách tương tự
-
THE EFFECT OF CRITICAL ELECTRIC FIELDS ON THE ELECTRONIC DISTRIBUTION OF BILAYER ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBONS
Bỡi: Nguyen, Lam Thuy Duong, et al.
Được phát hành: (2023) -
DISPERSION RELATIONS IN BILAYER GRAPHENE AT FINITE TEMPERATURE
Bỡi: Nguyen, Van Men
Được phát hành: (2023) -
Khảo sát hệ số Seebeck của Graphene hai lớp dưới tác dụng của điện trường ngoài :
Bỡi: Trần, Văn Nhân
Được phát hành: (2016) -
Ảnh hưởng của điện trường lên cấu trúc vùng năng lượng của Graphene hai lớp :
Bỡi: Nguyễn, Văn Giang
Được phát hành: (2017) -
Khảo sát đặc trưng dẫn điện trong Graphene hai lớp bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh :
Bỡi: Nguyễn, Thị Kim Huệ
Được phát hành: (2016)