Nghiên cứu lý thuyết về việc mở rộng vùng cấm trong Graphene hai lớp (Armchair bilayer Graphene) bằng cách sử dụng điện trường ngoài : Luận văn Thạc sĩ Vật lí. Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Nội dung của đề tài nghiên cứu là giới thiệu cơ sở lí thuyết về cấu trúc năng lượng và các phương pháp tính cấu trúc vùng năng lượng, mô hình Hamiltonian của Armchair Graphene hai lớp
Enregistré dans:
| Auteur principal: | Võ, Văn Hoà |
|---|---|
| Format: | Livre |
| Langue: | Undetermined |
| Publié: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2016
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Documents similaires
-
THE EFFECT OF CRITICAL ELECTRIC FIELDS ON THE ELECTRONIC DISTRIBUTION OF BILAYER ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBONS
par: Nguyen, Lam Thuy Duong, et autres
Publié: (2023) -
DISPERSION RELATIONS IN BILAYER GRAPHENE AT FINITE TEMPERATURE
par: Nguyen, Van Men
Publié: (2023) -
Khảo sát hệ số Seebeck của Graphene hai lớp dưới tác dụng của điện trường ngoài :
par: Trần, Văn Nhân
Publié: (2016) -
Ảnh hưởng của điện trường lên cấu trúc vùng năng lượng của Graphene hai lớp :
par: Nguyễn, Văn Giang
Publié: (2017) -
Nghiên cứu lý thuyết cấu trúc vùng năng lượng của Zigzag Graphene hai lớp bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh :
par: Nguyễn, Thị Kim Quyên
Publié: (2016)