Khảo sát đặc trưng dẫn điện trong Graphene hai lớp bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Cho thấy bức tranh tổng thể về cấu trúc vùng năng lượng, sự phù hợp giữa mật độ trạng thái điện tử với cấu trúc vùng năng lượng
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Nguyễn, Thị Kim Huệ |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2016
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Nghiên cứu lý thuyết cấu trúc vùng năng lượng của Zigzag Graphene hai lớp bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh :
Bỡi: Nguyễn, Thị Kim Quyên
Được phát hành: (2016) -
Nghiên cứu đặc trưng dẫn điện và mật độ trạng thái của Penta - Graphene bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh :
Bỡi: Phạm, Thanh Thủy
Được phát hành: (2016) -
Nghiên cứu lý thuyết cấu trúc vùng năng lượng của Penta - Graphene bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh :
Bỡi: Nguyễn , Thị Mỹ Lệ Tiên
Được phát hành: (2016) -
Khảo sát hệ số Seebeck của Graphene hai lớp dưới tác dụng của điện trường ngoài :
Bỡi: Trần, Văn Nhân
Được phát hành: (2016) -
Nghiên cứu lý thuyết về việc mở rộng vùng cấm trong Graphene hai lớp (Armchair bilayer Graphene) bằng cách sử dụng điện trường ngoài :
Bỡi: Võ, Văn Hoà
Được phát hành: (2016)