Khảo sát đặc trưng dẫn điện trong Graphene hai lớp bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
Cho thấy bức tranh tổng thể về cấu trúc vùng năng lượng, sự phù hợp giữa mật độ trạng thái điện tử với cấu trúc vùng năng lượng
Salvato in:
| Autore principale: | Nguyễn, Thị Kim Huệ |
|---|---|
| Natura: | Libro |
| Lingua: | Undetermined |
| Pubblicazione: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2016
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne! !
|
| Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
|---|
Documenti analoghi
-
Nghiên cứu lý thuyết cấu trúc vùng năng lượng của Zigzag Graphene hai lớp bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh :
di: Nguyễn, Thị Kim Quyên
Pubblicazione: (2016) -
Nghiên cứu đặc trưng dẫn điện và mật độ trạng thái của Penta - Graphene bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh :
di: Phạm, Thanh Thủy
Pubblicazione: (2016) -
Khảo sát hệ số Seebeck của Graphene hai lớp dưới tác dụng của điện trường ngoài :
di: Trần, Văn Nhân
Pubblicazione: (2016) -
Nghiên cứu lý thuyết cấu trúc vùng năng lượng của Penta - Graphene bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh :
di: Nguyễn , Thị Mỹ Lệ Tiên
Pubblicazione: (2016) -
Nghiên cứu lý thuyết về việc mở rộng vùng cấm trong Graphene hai lớp (Armchair bilayer Graphene) bằng cách sử dụng điện trường ngoài :
di: Võ, Văn Hoà
Pubblicazione: (2016)