Nghiên cứu lý thuyết về tương quan giữa sự dịch chuyển vùng và phổ hấp thụ quang trong Armchair Graphene Nanoribbons : Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý Toán
Trong luận văn này, tôi khảo sát ảnh hưởng của điện trường ngoài bao gồm điện trường song song được tạo bởi hai cổng bên và điện trường vuông góc được tạo bởi hai cổng trên/dưới đến phổ hấp thụ quang của AB-stacking armchair graphene hai...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Định dạng: | Sách |
Ngôn ngữ: | Undetermined |
Được phát hành: |
Cần Thơ
Trường Đại học Cần Thơ
2020
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |
---|
LEADER | 03739nam a2200229Ia 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | CTU_237696 | ||
008 | 210402s9999 xx 000 0 und d | ||
082 | |a 621.38152 | ||
082 | |b Ng527 | ||
088 | |a 8440103 | ||
100 | |a Phan, Đặng Thảo Nguyên | ||
245 | 0 | |a Nghiên cứu lý thuyết về tương quan giữa sự dịch chuyển vùng và phổ hấp thụ quang trong Armchair Graphene Nanoribbons : | |
245 | 0 | |b Luận văn Thạc sĩ Vật lý. Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý Toán | |
245 | 0 | |c Phan Đặng Thảo Nguyên ; Vũ Thanh Trà (hướng dẫn khoa học) | |
260 | |a Cần Thơ | ||
260 | |b Trường Đại học Cần Thơ | ||
260 | |c 2020 | ||
520 | |a Trong luận văn này, tôi khảo sát ảnh hưởng của điện trường ngoài bao gồm điện trường song song được tạo bởi hai cổng bên và điện trường vuông góc được tạo bởi hai cổng trên/dưới đến phổ hấp thụ quang của AB-stacking armchair graphene hai lớp nanoribbons. Dựa trên nghiên cứu về cấu trúc vùng năng lượng, mật độ trạng thái (DOS) bằng phương pháp gần đúng liên kết mạnh kết hợp với gần đúng gradient, sau đó tiếp tục tính toán phổ hấp thụ A(ω) , tôi đã đạt được một số kết quả có thể kết luận như sau: (i) Phổ hấp thụ quang thể hiện cấu trúc đỉnh phong phú ở tần số thấp và chúng biến mất tại ω = 0 . (ii) Số các đỉnh hấp thụ, tần số và cường độ của các đỉnh phụ thuộc vào độ rộng ribbon và độ lớn của điện thế được áp. (iii) Đối với cấu trúc bán kim loại, điện trường vuông góc tác động hiệu quả hơn điện trường song song trong việc mở rộng vùng cấm bằng việc phân tích sự thay đổi tần số của đỉnh thứ nhất trong phổ hấp thụ. Độ rộng ribbon càng tăng, các đỉnh hấp thụ được tạo ra càng nhiều và tần số ngưỡng hấp thụ càng thấp. Hơn nữa, phổ hấp thụ với sự hiện diện của điện trường biến thiên đã cho thấy tần số ngưỡng hấp thụ thấp hơn, các đỉnh hấp thụ nhiều hơn và cường độ phổ yếu hơn so với trường hợp khi không có điện trường. (iv) Khi giá trị điện thế tăng, các đỉnh nổi bật tuân theo các quy tắc lựa chọn bị hạ xuống và các đỉnh phụ thỏa mãn các quy tắc lựa chọn bổ sung được tạo thành. Với các kết quả thu được, tôi mong rằng sẽ góp phần vào sự hiểu biết toàn diện hơn về tính chất quang học cũng như cấu trúc điện tử của BAGNRs. Hơn nữa, việc thay đổi độ rộng vùng cấm sẽ mang đến nhiều đặc tính thú vị và hấp dẫn cho graphene hai lớp trong việc ứng dụng với các thiết bị điện tử cũng như quang - điện. | ||
650 | |a Membranes (Technology),Màng (Công nghệ) | ||
904 | |i Hiếu | ||
910 | |c tvtrong | ||
980 | |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Cần Thơ |