Gil, T., Kim, H., & Kim, Y. Characteristics of Ni/SiC schottky diodes grown by ICP-CVD.
Chicago-stil citatGil, Tae-Hyun., Han-Soo Kim, och Yong-Sang Kim. Characteristics of Ni/SiC Schottky Diodes Grown By ICP-CVD.
MLA-referensGil, Tae-Hyun., Han-Soo Kim, och Yong-Sang Kim. Characteristics of Ni/SiC Schottky Diodes Grown By ICP-CVD.
Varning: dessa hänvisningar är inte alltid fullständigt riktiga.