Gil, T., Kim, H., & Kim, Y. Characteristics of Ni/SiC schottky diodes grown by ICP-CVD.
Chicago-стиль цитированияGil, Tae-Hyun., Han-Soo Kim, và Yong-Sang Kim. Characteristics of Ni/SiC Schottky Diodes Grown By ICP-CVD.
MLA-цитированиеGil, Tae-Hyun., Han-Soo Kim, và Yong-Sang Kim. Characteristics of Ni/SiC Schottky Diodes Grown By ICP-CVD.
Предупреждение: эти цитированмия не могут быть всегда правильны на 100%.