Characteristics of Ni/SiC schottky diodes grown by ICP-CVD /

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Gil, Tae-Hyun.
Další autoři: Kim, Han-Soo., Kim, Yong-Sang.
Médium: Článek
Jazyk:English
Témata:
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt