Characteristics of Ni/SiC schottky diodes grown by ICP-CVD /

Spremljeno u:
Bibliografski detalji
Glavni autor: Gil, Tae-Hyun.
Daljnji autori: Kim, Han-Soo., Kim, Yong-Sang.
Format: Članak
Jezik:English
Teme:
Oznake: Dodaj oznaku
Bez oznaka, Budi prvi tko označuje ovaj zapis!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt