Characteristics of Ni/SiC schottky diodes grown by ICP-CVD /

Shranjeno v:
Bibliografske podrobnosti
Glavni avtor: Gil, Tae-Hyun.
Drugi avtorji: Kim, Han-Soo., Kim, Yong-Sang.
Format: Bài viết
Jezik:English
Teme:
Oznake: Označite
Brez oznak, prvi označite!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt