Characteristics of Ni/SiC schottky diodes grown by ICP-CVD /

שמור ב:

מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי:	Gil, Tae-Hyun.
מחברים אחרים:	Kim, Han-Soo., Kim, Yong-Sang.
פורמט:	Bài viết
שפה:	English
נושאים:	Breakdown voltage Chemical vapor depositon Inductively coupled plasma Schottky barrier height Silicon carbide
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

פריטים דומים