Characteristics of Ni/SiC schottky diodes grown by ICP-CVD /

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главный автор: Gil, Tae-Hyun.
Другие авторы: Kim, Han-Soo., Kim, Yong-Sang.
Формат: Статья
Язык:English
Предметы:
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt