Prepaation of crystalline si-xgex thin films by pulsed ion-beam evaporation /
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Định dạng: | Bài viết |
| Ngôn ngữ: | English |
| Những chủ đề: | |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
| LEADER | 00789nam a2200265 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | DLU090078970 | ||
| 005 | ##20090619 | ||
| 040 | # | # | |a DLU |b eng |
| 041 | # | # | |a eng |
| 044 | # | # | |a KR |
| 100 | # | # | |a Yang, Sung-Chae. |
| 245 | # | # | |a Prepaation of crystalline si-xgex thin films by pulsed ion-beam evaporation / |c Sung-Chae Yang. |
| 653 | # | # | |a High deposition rate |
| 653 | # | # | |a Room temperature |
| 653 | # | # | |a Single phase |
| 773 | # | # | |t Electrophysics and Applications |g Vol. 4-C, no. 4 (2004), p. 181-184 |
| 920 | # | # | |a Phòng Tạp chí -- Trung tâm Thông tin - Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
| 994 | # | # | |a DLU |
| 900 | # | # | |a True |
| 911 | # | # | |a Trương Bảo Trâm Anh |
| 925 | # | # | |a G |
| 926 | # | # | |a A |
| 927 | # | # | |a BB |
| 980 | # | # | |a Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |