Defect chemistry and oxygen ion migration in the apatite-type materials La9.33Si6O26 and La8Sr2Si6O26 /

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Tolchard, Julian R.
Tác giả khác: Islam, M. Saiful., Slater, Peter R.
Định dạng: Bài viết
Ngôn ngữ:English
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
LEADER 01027nam a2200325 4500
001 DLU090095582
005 ##20091201
040 # # |a DLU  |b eng 
041 # # |a eng 
044 # # |a us 
100 # # |a Tolchard, Julian R. 
245 # # |a Defect chemistry and oxygen ion migration in the apatite-type materials La9.33Si6O26 and La8Sr2Si6O26 /  |c Julian R. Tolchard, M. Saiful Islam, Peter R. Slater. 
653 # # |a Crystal defects 
653 # # |a Digital simulation 
653 # # |a Inorganic compounds 
653 # # |a Ionic conductivity 
653 # # |a Quaternary compounds 
653 # # |a Vacancy motion 
700 # # |a Islam, M. Saiful. 
700 # # |a Slater, Peter R. 
773 # # |t Journal of Materials Chemistry  |g Vol. 13, no. 8 (2003), p. 1956-1961 
920 # # |a Phòng Tạp chí -- Trung tâm Thông tin - Thư viện Trường Đại học Đà Lạt 
994 # # |a DLU 
900 # # |a True 
911 # # |a Trương Bảo Trâm Anh 
925 # # |a G 
926 # # |a A 
927 # # |a BB 
980 # # |a Thư viện Trường Đại học Đà Lạt