Trích dẫn APA

Aghoram, U., Chu, M., Sun, Y., & Thompson, S. E. Strain: A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs.

Trích dẫn kiểu Chicago

Aghoram, Umamaheswari., Min Chu, Yongke Sun, và Scott E. Thompson. Strain: A Solution for Higher Carrier Mobility in Nanoscale MOSFETs.

Trích dẫn MLA

Aghoram, Umamaheswari., Min Chu, Yongke Sun, và Scott E. Thompson. Strain: A Solution for Higher Carrier Mobility in Nanoscale MOSFETs.

Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.