Citação norma APA

Aghoram, U., Chu, M., Sun, Y., & Thompson, S. E. Strain: A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs.

Citação norma Chicago

Aghoram, Umamaheswari., Min Chu, Yongke Sun, và Scott E. Thompson. Strain: A Solution for Higher Carrier Mobility in Nanoscale MOSFETs.

Citação norma MLA

Aghoram, Umamaheswari., Min Chu, Yongke Sun, và Scott E. Thompson. Strain: A Solution for Higher Carrier Mobility in Nanoscale MOSFETs.

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