Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /
Сохранить в:
| Другие авторы: | , , , |
|---|---|
| Формат: | Статья |
| Язык: | English |
| Предметы: | |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|