Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /

Gardado en:
Detalles Bibliográficos
Outros autores: Aghoram, Umamaheswari., Chu, Min., Sun, Yongke., Thompson, Scott E.
Formato: Artigo
Idioma:English
Những chủ đề:
Các nhãn: Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt