Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Kolejni autorzy: Aghoram, Umamaheswari., Chu, Min., Sun, Yongke., Thompson, Scott E.
Format: Artykuł
Język:English
Hasła przedmiotowe:
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt