MOSFET theory and design
eveloped for a one-semester course at the junior, senior, or graduate level, MOSFET Theory and Design presents a clear, in-depth treatment of physical analysis and design principles for the MOSFET. By focusing solely on the MOSFET, this slim volume recognizes the dominance of this device in today...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | |
---|---|
Tác giả khác: | |
Ngôn ngữ: | Undetermined English |
Được phát hành: |
New York
Oxford University Press
1999
|
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu Trường Đại học Trà Vinh |
---|
LEADER | 01082nam a2200241Ia 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | TVU_11725 | ||
008 | 210423s9999 xx 000 0 und d | ||
020 | |a 195116429 | ||
041 | |a eng | ||
082 | |a 621.3815 | ||
082 | |b W109 | ||
100 | |a Warner Jr, R. M. | ||
245 | 0 | |a MOSFET theory and design | |
245 | 0 | |c R.M. Warner, Jr., B.L. Grung | |
260 | |a New York | ||
260 | |b Oxford University Press | ||
260 | |c 1999 | ||
300 | |a 256 p. | ||
300 | |c 24 cm | ||
520 | |a eveloped for a one-semester course at the junior, senior, or graduate level, MOSFET Theory and Design presents a clear, in-depth treatment of physical analysis and design principles for the MOSFET. By focusing solely on the MOSFET, this slim volume recognizes the dominance of this device in today's microelectronics technology while also providing students with an efficient text free of extra subject matter. | ||
650 | |a Metal oxide semiconductor field-effect transistors; Electronic circuit design | ||
700 | |a R.M. Warner; Jr.; B.L. Grung | ||
980 | |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Trà Vinh |