Morphological organization in epitaxial growth and removal

Provides a critical assessment of the current status and the likely future directions of thin-film growth. The text's emphasis is on descriptions of atomic-scale mechanisms controlling the dynamics and thermodynamics of the morphological evolution of the growth front of thin films in diverse sy...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Zhang, Zhenyu
Tác giả khác: Zhenyu Zhang; Max G. Lagally
Ngôn ngữ:Undetermined
English
Được phát hành: Singapore,River Edge, NJ World Scientific 1998
Những chủ đề:
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Trung tâm Học liệu Trường Đại học Trà Vinh
LEADER 01373nam a2200265Ia 4500
001 TVU_17294
008 210423s9999 xx 000 0 und d
020 |a 9789810234713 
020 |a 9810234716 
041 |a eng 
082 |a 548 
082 |b Z106 
100 |a Zhang, Zhenyu 
245 0 |a Morphological organization in epitaxial growth and removal 
245 0 |c Zhenyu Zhang, Max G. Lagally 
260 |a Singapore,River Edge, NJ 
260 |b World Scientific 
260 |c 1998 
300 |a viii, 498 p. 
300 |b ill. 
300 |c 23 cm 
520 |a Provides a critical assessment of the current status and the likely future directions of thin-film growth. The text's emphasis is on descriptions of atomic-scale mechanisms controlling the dynamics and thermodynamics of the morphological evolution of the growth front of thin films in diverse systems of fundamental and technological significance. The book covers most of the original and important conceptual developments made in the 1990s. The articles are arranged in five major categories - the theoretical basis, semiconductor-on-semiconductor growth, metal-on-metal growth, metal-on-semiconductor growth, and removal as the inverse process of growth 
650 |a Crystal growth; Semiconductors 
700 |a Zhenyu Zhang; Max G. Lagally 
980 |a Trung tâm Học liệu Trường Đại học Trà Vinh