Thiết kế ba bài thí nghiệm khảo sát đặc tuyến vôn – ampe của transistor lưỡng cực (BJT)

Khóa luận tốt nghiệp. Khoa Lý. Lớp 10 SVL

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Bùi, Vũ My Na
Weitere Verfasser: Nguyễn, Văn Đông
Format: Abschlussarbeit
Sprache:Vietnamese
Veröffentlicht: Trường Đại học Sư phạm, Đại học Đà Nẵng 2015
Schlagworte:
Online Zugang:http://thuvien.ued.udn.vn/handle/TVDHSPDN_123456789/10030
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Thư viện lưu trữ: Trường Đại học Sư phạm - Đại học Đà Nẵng