Thiết kế ba bài thí nghiệm khảo sát đặc tuyến vôn – ampe của transistor lưỡng cực (BJT)

Khóa luận tốt nghiệp. Khoa Lý. Lớp 10 SVL

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Bùi, Vũ My Na
Kolejni autorzy: Nguyễn, Văn Đông
Format: Praca dyplomowa
Język:Vietnamese
Wydane: Trường Đại học Sư phạm, Đại học Đà Nẵng 2015
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:http://thuvien.ued.udn.vn/handle/TVDHSPDN_123456789/10030
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
Thư viện lưu trữ: Trường Đại học Sư phạm - Đại học Đà Nẵng