Yếu tố ma trận cho exciton hai chiều trong điện trường.
TẠP CHÍ KHOA HỌC - Trường ĐHSP TPHCM Tập 16, Số 6 (2019)
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Phạm, Thị Mỹ Hảo, Nguyễn, Thị Thùy Trang, Hoàng, Đỗ Ngọc Trầm |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
Tạp chí Khoa học
2019
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | http://thuvien.ued.udn.vn/handle/TVDHSPDN_123456789/56083 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Trung tâm Học liệu và E-Learning, Trường Đại học Sư phạm – Đại học Đà Nẵng |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Thế màn chắn Cudazzo hiệu chỉnh và yếu tố ma trận cho bài toán exciton hai chiều trong từ trường /
Bỡi: Nguyễn Hữu Phước. -
Yếu tố ma trận cho nguyên tử heli hai chiều /
Bỡi: Nguyễn Phương Duy Anh. - Binding energy of exciton in monolayer semiconductor ws2 with Yukawa-like screening potential /
-
Yếu tố ma trận cho nguyên tử heli /
Bỡi: Cao Hồ Thanh Xuân. -
Excitonic and Photonic Processes in Materials
Bỡi: Singh, Jai, et al.
Được phát hành: (2016)