Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử

Mã QR

Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử

Đã lưu trong:

Bibliografiske detaljer
Hovedforfatter:	Lương, Thị Kim Phượng
Format:	Bài viết
Sprog:	Vietnamese
Udgivet:	2023
Fag:	Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên
Online adgang:	https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=284448 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/125512
Tags:	Tilføj Tag Ingen Tags, Vær først til at tagge denne postø!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Lignende værker

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
af: Lương, Thị Kim Phượng
Udgivet: (2023)

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
af: Lương, Thị Kim Phượng
Udgivet: (2024)

KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
af: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
Udgivet: (2025)

ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
af: Lương, Thị Kim Phượng
Udgivet: (2023)

INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
af: Lương, Thị Kim Phượng
Udgivet: (2023)

INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
af: Lương, Thị Kim Phượng
Udgivet: (2024)

Nghiên cứu sự phân bố của nguyên tử antimony trong màng Ge/Gi đồng pha tạp Sb và P sử dụng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
af: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
Udgivet: (2023)

PRELIMINARY STUDY ON GeTe-SbTe AND Sm-B TOPOLOGICAL INSULATORS
af: Nguyen, Thi Le Thi, et al.
Udgivet: (2024)

Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
af: Lương, Thị Kim Phượng
Udgivet: (2024)

Khống chế sự hình thành tăng trưởng dạng đảo của Germani trên đế silic bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử
af: Lương, Thị Kim Phượng
Udgivet: (2024)

Phân tích đồng thời Sb(III) và Sb(V) sử dụng kỹ thuật chiết pha rắn và phổ hấp thụ nguyên tử - hiđrua hóa /
af: Nguyễn Thị Ngọc Anh.

Phân tích đồng thời Sb(III) và Sb(V) sử dụng kỹ thuật chiết pha rắn và phổ hấp thụ nguyên tử - hiđrua hóa
af: Nguyễn, Thị Ngọc Anh, et al.
Udgivet: (2024)

Phương pháp xử lý bề mặt đế silic ở nhiệt độ thấp ứng dụng trong kỹ thuật tăng trưởng Epitaxy chùm phân tử
af: Lương, Thị Kim Phượng
Udgivet: (2024)

Nguồn Nơtron năng lượng cao tạo ra từ bia Pb được bắn bởi chùm electron 2,5 GeV /
af: .

Morphological organization in epitaxial growth and removal
af: Zhang, Zhenyu
Udgivet: (1998)

Morphological organization in epitaxial growth and removal.
Udgivet: (1998)

Morphological Organizations in Epitaxial Growth and Removal /
af: Zhang Zhenyu
Udgivet: (1999)

Tối ưu hóa các đặc trưng quang học của sợi tinh thể quang tử nền Ge20Sb5Se75
af: Võ, Thị Minh Ngọc, et al.
Udgivet: (2023)

Hiệu ứng màn chắn trong phản ứng P-N với các bia chì, uranium, vàng ở năng lượng bắn phá của proton từ 0.5 GeV đến 1.5 GeV :
af: Lê, Thị Thanh Trúc
Udgivet: (2009)

Hiệu ứng từ điện trở trong vật liệu bán Heusler CoMnSb /
af: Lê Thanh Hùng.

Đo tiết diện bắt bức xạ nơtron trung bình của Te, Ba, Sb, trên các chùm nơtron phin lọc 55 và 144 KEV /
af: Nguyễn Xuân Trọng.

Đo tiết diện bắt bức xạ Nơtron trung bình của Te,Ba,Sb trên các chùm Nơtron phin lọc 55 và 144 kev
af: Nguyễn, Xuân Trọng
Udgivet: (2013)

Đo tiết diện bắt bức xạ Nơtron trung bình của Te, Ba, Sb trên các chùm Nơtron phin lọc 55 và 144 Kev
af: Nguyễn, Xuân Trọng
Udgivet: (2013)

Nghiên cứu chế tạo diode phát quang trên nền vật liệu Ge/Si pha tạp điện tử mật độ cao ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
af: Lương, Thị Kim Phượng
Udgivet: (2023)

Nghiên cứu phản ứng hạt nhân (p,n) trên các bia chì (Pb), Wolfram (W) và Uranium (U) với năng lượng bắn phá tương đối thấp ( từ 0.01GeV đến 0.05GeV) :
af: Trần, Thị Diễm
Udgivet: (2011)

Hiệu ứng giam cầm và tính chất điện tử của dây nano Ge /
af: Nguyễn Hồng Quang.

Observation of Superconductivity in Epitaxially Grown Atomic Layers. 1st ed. 2018
af: Ichinokura, Satoru
Udgivet: (2020)

Phân bố góc của Neutron sinh ra trong phản ứng (P,N) trên các bia với năng lượng bắn phá từ 0.5 GeV đến 1.5 GeV có tính đến hiệu ứng màn chắn :
af: Huỳnh, Thanh Trúc
Udgivet: (2011)

Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường
af: Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, et al.
Udgivet: (2023)

The new GE :
af: Slater, Robert
Udgivet: (1993)

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
af: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Udgivet: (2024)

Ảnh hưởng của nhiệt độ và căng thẳng điện trên giao diện InGaP / GaAs điện trở quang: Đánh giá
af: Than, Hồng Phúc, et al.
Udgivet: (2025)

U xương chũm - Báo cáo ca lâm sàng hiếm gặp
af: Nguyễn, Tài Dũng
Udgivet: (2024)

Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
af: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
Udgivet: (2024)

Cấu trúc địện tử của chất rắn
af: Đỗ, Xuân Thành
Udgivet: (2011)

Ảnh hưởng của nhiệt độ và căng thẳng điện trên giao diện InGaP
af: GaAs, điện trở quang Đánh giá
Udgivet: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
af: Lê, Thị Giang, et al.
Udgivet: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
af: Lê, Thị Giang, et al.
Udgivet: (2024)

Từ điển tiếng Nga T.4(P-V)
Udgivet: (1982)

Community Experiences: Reading and Communication for Civics SB /
af: Terill Lynda
Udgivet: (2005)