Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
में बचाया:
मुख्य लेखक: | Lương, Thị Kim Phượng |
---|---|
स्वरूप: | लेख |
भाषा: | Vietnamese |
प्रकाशित: |
2023
|
विषय: | |
ऑनलाइन पहुंच: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=284448 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/125512 |
टैग : |
टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
समान संसाधन
-
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
द्वारा: Lương, Thị Kim Phượng
प्रकाशित: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
द्वारा: Lương, Thị Kim Phượng
प्रकाशित: (2024) -
KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
द्वारा: Lương, Thị Kim Phượng, और अन्य
प्रकाशित: (2025) -
ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
द्वारा: Lương, Thị Kim Phượng
प्रकाशित: (2023) -
INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
द्वारा: Lương, Thị Kim Phượng
प्रकाशित: (2023)