Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử

kod QR

Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử

Zapisane w:

Opis bibliograficzny
1. autor:	Lương, Thị Kim Phượng
Format:	Artykuł
Język:	Vietnamese
Wydane:	2023
Hasła przedmiotowe:	Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên
Dostęp online:	https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=284448 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/125512
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Podobne zapisy

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
od: Lương, Thị Kim Phượng
Wydane: (2023)

STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
od: Lương, Thị Kim Phượng
Wydane: (2024)

KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
od: Lương, Thị Kim Phượng, i wsp.
Wydane: (2025)

ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
od: Lương, Thị Kim Phượng
Wydane: (2023)

INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
od: Lương, Thị Kim Phượng
Wydane: (2023)

INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
od: Lương, Thị Kim Phượng
Wydane: (2024)

Nghiên cứu sự phân bố của nguyên tử antimony trong màng Ge/Gi đồng pha tạp Sb và P sử dụng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
od: Lương, Thị Kim Phượng, i wsp.
Wydane: (2023)

PRELIMINARY STUDY ON GeTe-SbTe AND Sm-B TOPOLOGICAL INSULATORS
od: Nguyen, Thi Le Thi, i wsp.
Wydane: (2024)

Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
od: Lương, Thị Kim Phượng
Wydane: (2024)

Khống chế sự hình thành tăng trưởng dạng đảo của Germani trên đế silic bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử
od: Lương, Thị Kim Phượng
Wydane: (2024)

Phân tích đồng thời Sb(III) và Sb(V) sử dụng kỹ thuật chiết pha rắn và phổ hấp thụ nguyên tử - hiđrua hóa /
od: Nguyễn Thị Ngọc Anh.

Phân tích đồng thời Sb(III) và Sb(V) sử dụng kỹ thuật chiết pha rắn và phổ hấp thụ nguyên tử - hiđrua hóa
od: Nguyễn, Thị Ngọc Anh, i wsp.
Wydane: (2024)

Phương pháp xử lý bề mặt đế silic ở nhiệt độ thấp ứng dụng trong kỹ thuật tăng trưởng Epitaxy chùm phân tử
od: Lương, Thị Kim Phượng
Wydane: (2024)

Nguồn Nơtron năng lượng cao tạo ra từ bia Pb được bắn bởi chùm electron 2,5 GeV /
od: .

Morphological organization in epitaxial growth and removal
od: Zhang, Zhenyu
Wydane: (1998)

Morphological organization in epitaxial growth and removal.
Wydane: (1998)

Morphological Organizations in Epitaxial Growth and Removal /
od: Zhang Zhenyu
Wydane: (1999)

Tối ưu hóa các đặc trưng quang học của sợi tinh thể quang tử nền Ge20Sb5Se75
od: Võ, Thị Minh Ngọc, i wsp.
Wydane: (2023)

Hiệu ứng màn chắn trong phản ứng P-N với các bia chì, uranium, vàng ở năng lượng bắn phá của proton từ 0.5 GeV đến 1.5 GeV :
od: Lê, Thị Thanh Trúc
Wydane: (2009)

Hiệu ứng từ điện trở trong vật liệu bán Heusler CoMnSb /
od: Lê Thanh Hùng.

Đo tiết diện bắt bức xạ nơtron trung bình của Te, Ba, Sb, trên các chùm nơtron phin lọc 55 và 144 KEV /
od: Nguyễn Xuân Trọng.

Đo tiết diện bắt bức xạ Nơtron trung bình của Te,Ba,Sb trên các chùm Nơtron phin lọc 55 và 144 kev
od: Nguyễn, Xuân Trọng
Wydane: (2013)

Đo tiết diện bắt bức xạ Nơtron trung bình của Te, Ba, Sb trên các chùm Nơtron phin lọc 55 và 144 Kev
od: Nguyễn, Xuân Trọng
Wydane: (2013)

Nghiên cứu chế tạo diode phát quang trên nền vật liệu Ge/Si pha tạp điện tử mật độ cao ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
od: Lương, Thị Kim Phượng
Wydane: (2023)

Nghiên cứu phản ứng hạt nhân (p,n) trên các bia chì (Pb), Wolfram (W) và Uranium (U) với năng lượng bắn phá tương đối thấp ( từ 0.01GeV đến 0.05GeV) :
od: Trần, Thị Diễm
Wydane: (2011)

Hiệu ứng giam cầm và tính chất điện tử của dây nano Ge /
od: Nguyễn Hồng Quang.

Observation of Superconductivity in Epitaxially Grown Atomic Layers. 1st ed. 2018
od: Ichinokura, Satoru
Wydane: (2020)

Phân bố góc của Neutron sinh ra trong phản ứng (P,N) trên các bia với năng lượng bắn phá từ 0.5 GeV đến 1.5 GeV có tính đến hiệu ứng màn chắn :
od: Huỳnh, Thanh Trúc
Wydane: (2011)

Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường
od: Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, i wsp.
Wydane: (2023)

The new GE :
od: Slater, Robert
Wydane: (1993)

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
od: Nguyễn, Đăng Chiến, i wsp.
Wydane: (2024)

Ảnh hưởng của nhiệt độ và căng thẳng điện trên giao diện InGaP / GaAs điện trở quang: Đánh giá
od: Than, Hồng Phúc, i wsp.
Wydane: (2025)

U xương chũm - Báo cáo ca lâm sàng hiếm gặp
od: Nguyễn, Tài Dũng
Wydane: (2024)

Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
od: Lương, Thị Kim Phượng, i wsp.
Wydane: (2024)

Cấu trúc địện tử của chất rắn
od: Đỗ, Xuân Thành
Wydane: (2011)

Ảnh hưởng của nhiệt độ và căng thẳng điện trên giao diện InGaP
od: GaAs, điện trở quang Đánh giá
Wydane: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
od: Lê, Thị Giang, i wsp.
Wydane: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
od: Lê, Thị Giang, i wsp.
Wydane: (2024)

Từ điển tiếng Nga T.4(P-V)
Wydane: (1982)

Community Experiences: Reading and Communication for Civics SB /
od: Terill Lynda
Wydane: (2005)