STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Định dạng: | Bài viết |
| Ngôn ngữ: | Vietnamese |
| Được phát hành: |
2023
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=295941 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/127751 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
| id |
oai:scholar.dlu.edu.vn:DLU123456789-127751 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
oai:scholar.dlu.edu.vn:DLU123456789-1277512024-05-24T23:28:09Z STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN CỦA MÀNG Ge PHA TẠP ĐIỆN TỬ TỪ NGUỒN RẮN GaP VÀ Sb BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ Lương, Thị Kim Phượng Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên 2023-09-14T00:56:46Z 2023-09-14T00:56:46Z 2019 Article https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=295941 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/127751 vi Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên - 2019 - no.11 application/pdf |
| institution |
Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
| collection |
Thư viện số |
| language |
Vietnamese |
| topic |
Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên |
| spellingShingle |
Tạp chí Khoa học và Công nghệ - Đại học Thái Nguyên Lương, Thị Kim Phượng STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD |
| format |
Article |
| author |
Lương, Thị Kim Phượng |
| author_facet |
Lương, Thị Kim Phượng |
| author_sort |
Lương, Thị Kim Phượng |
| title |
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD |
| title_short |
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD |
| title_full |
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD |
| title_fullStr |
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD |
| title_full_unstemmed |
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD |
| title_sort |
study of electrical properties of electron doped ge film using gap and sb solid sources by molecular beam epitaxy method |
| publishDate |
2023 |
| url |
https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=295941 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/127751 |
| _version_ |
1800116669981392896 |