Tính chất điện tử của đơn lớp galinium selenide: Các tính toán bằng lý thuyết hàm mật độ
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Võ, Thị Tuyết Vi, Bùi, Đình Hợi, Nguyễn, Văn Chương, Nguyễn, Ngọc Hiếu |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2023
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=312589 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/128712 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Ultrasonic synthesis of nanocrystals of metal selenides and tellurides /
Bỡi: Ge, Jian-Ping. -
Nghiên cứu tổng hợp và một số đặc trưng cơ bản của chấm lượng tử Cadmium Selenide :
Bỡi: Trần, Thị Nga
Được phát hành: (2011) -
Ảnh hưởng của biến dạng phẳng lên tính chất điện tử và quang học của đơn lớp GaSe
Bỡi: Võ, Thị Tuyết Vi, et al.
Được phát hành: (2023) -
Vận dụng lý thuyết tình huống Didactic vào dạy học tính đơn điệu của hàm số :
Bỡi: Nguyễn, Minh Duy
Được phát hành: (2017) -
So sánh tính chất điện-từ của đơn lớp vật liệu CrPSe3 và CrPSe3 pha tạp Fe bằng phương pháp phiếm hàm mật độ
Bỡi: Trần, Tuấn Anh
Được phát hành: (2024)