Tính chất điện tử của đơn lớp galinium selenide: Các tính toán bằng lý thuyết hàm mật độ
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Võ, Thị Tuyết Vi, Bùi, Đình Hợi, Nguyễn, Văn Chương, Nguyễn, Ngọc Hiếu |
---|---|
التنسيق: | مقال |
اللغة: | Vietnamese |
منشور في: |
2023
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=312589 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/128712 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
مواد مشابهة
-
Ultrasonic synthesis of nanocrystals of metal selenides and tellurides /
بواسطة: Ge, Jian-Ping. -
Nghiên cứu tổng hợp và một số đặc trưng cơ bản của chấm lượng tử Cadmium Selenide :
بواسطة: Trần, Thị Nga
منشور في: (2011) -
Ảnh hưởng của biến dạng phẳng lên tính chất điện tử và quang học của đơn lớp GaSe
بواسطة: Võ, Thị Tuyết Vi, وآخرون
منشور في: (2023) -
Xây dựng trường lực nâng cao cho các lớp đơn graphene bằng cách điều chỉnh dữ liệu lý thuyết hàm mật độ dựa trên mạng nơ-ron
بواسطة: Phạm, Tấn Tiến, وآخرون
منشور في: (2025) -
Vận dụng lý thuyết tình huống Didactic vào dạy học tính đơn điệu của hàm số :
بواسطة: Nguyễn, Minh Duy
منشور في: (2017)