Tính chất điện tử của đơn lớp galinium selenide: Các tính toán bằng lý thuyết hàm mật độ
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | Võ, Thị Tuyết Vi, Bùi, Đình Hợi, Nguyễn, Văn Chương, Nguyễn, Ngọc Hiếu |
---|---|
Format: | Artikel |
Sprache: | Vietnamese |
Veröffentlicht: |
2023
|
Schlagworte: | |
Online Zugang: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=312589 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/128712 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Ähnliche Einträge
-
Ultrasonic synthesis of nanocrystals of metal selenides and tellurides /
von: Ge, Jian-Ping. -
Nghiên cứu tổng hợp và một số đặc trưng cơ bản của chấm lượng tử Cadmium Selenide :
von: Trần, Thị Nga
Veröffentlicht: (2011) -
Ảnh hưởng của biến dạng phẳng lên tính chất điện tử và quang học của đơn lớp GaSe
von: Võ, Thị Tuyết Vi, et al.
Veröffentlicht: (2023) -
Xây dựng trường lực nâng cao cho các lớp đơn graphene bằng cách điều chỉnh dữ liệu lý thuyết hàm mật độ dựa trên mạng nơ-ron
von: Phạm, Tấn Tiến, et al.
Veröffentlicht: (2025) -
Vận dụng lý thuyết tình huống Didactic vào dạy học tính đơn điệu của hàm số :
von: Nguyễn, Minh Duy
Veröffentlicht: (2017)