Tính chất điện tử của đơn lớp galinium selenide: Các tính toán bằng lý thuyết hàm mật độ
Salvato in:
Autori principali: | Võ, Thị Tuyết Vi, Bùi, Đình Hợi, Nguyễn, Văn Chương, Nguyễn, Ngọc Hiếu |
---|---|
Natura: | Articolo |
Lingua: | Vietnamese |
Pubblicazione: |
2023
|
Soggetti: | |
Accesso online: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=312589 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/128712 |
Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne! !
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Documenti analoghi
-
Ultrasonic synthesis of nanocrystals of metal selenides and tellurides /
di: Ge, Jian-Ping. -
Nghiên cứu tổng hợp và một số đặc trưng cơ bản của chấm lượng tử Cadmium Selenide :
di: Trần, Thị Nga
Pubblicazione: (2011) -
Ảnh hưởng của biến dạng phẳng lên tính chất điện tử và quang học của đơn lớp GaSe
di: Võ, Thị Tuyết Vi, et al.
Pubblicazione: (2023) -
Xây dựng trường lực nâng cao cho các lớp đơn graphene bằng cách điều chỉnh dữ liệu lý thuyết hàm mật độ dựa trên mạng nơ-ron
di: Phạm, Tấn Tiến, et al.
Pubblicazione: (2025) -
Vận dụng lý thuyết tình huống Didactic vào dạy học tính đơn điệu của hàm số :
di: Nguyễn, Minh Duy
Pubblicazione: (2017)