Phát triển đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM)
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Nguyễn, Văn Sỹ |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=355910 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/191318 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon.
Bỡi: Nguyễn, Văn Sỹ, et al.
Được phát hành: (2024) -
Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon
Bỡi: Nguyễn, Văn Sỹ, et al.
Được phát hành: (2024) -
Chế tạo đầu đo nhấp nháy CsI(Tl) ghép nối quang đi ốt ghi đo bức xạ gamma
Bỡi: Phạm, Đình Khang, et al.
Được phát hành: (2023) -
Xây dựng hệ đo gamma đơn kênh sử dụng công nghệ silicon photomultiplier (SiPM)
Bỡi: Lại, Viết Hải, et al.
Được phát hành: (2023) -
Ứng dụng đầu dò gamma nai(tl) – silicon photomultiplier (sipm) trong chụp ảnh cắt lớp điện toán cấu hình một nguồn – một đầu dò
Bỡi: Lại, Viết Hải, et al.
Được phát hành: (2023)