Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Nguyễn, Văn Sỹ, Đặng, Quang Thiệu, Nguyễn, Thanh Hùng |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=356859 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/192372 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon.
Bỡi: Nguyễn, Văn Sỹ, et al.
Được phát hành: (2024) -
Phát triển đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon (SiPM)
Bỡi: Nguyễn, Văn Sỹ
Được phát hành: (2024) -
Chế tạo đầu đo nhấp nháy CsI(Tl) ghép nối quang đi ốt ghi đo bức xạ gamma
Bỡi: Phạm, Đình Khang, et al.
Được phát hành: (2023) -
Reason 3 Csi Master
Bỡi: Steve Nalepa
Được phát hành: (2005) -
Nghiên cứu đóng góp của thành phần tán xạ nhiều lần trong phổ tán xạ Compton đo bằng đầu dò nhấp nháy NaI(Tl) /
Bỡi: Hoàng Đức Tâm.