Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon.

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Nguyễn, Văn Sỹ, Đặng, Quang Thiệu, Nguyễn, Thanh Hùng
Định dạng: Bài viết
Ngôn ngữ:Vietnamese
Được phát hành: 2024
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=360737
https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/195104
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
id oai:scholar.dlu.edu.vn:DLU123456789-195104
record_format dspace
spelling oai:scholar.dlu.edu.vn:DLU123456789-1951042024-05-22T16:29:07Z Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon. Design and manufacture of scintillation detector using CsI(Tl) crystal coupled with silicon photomultipliers Nguyễn, Văn Sỹ Đặng, Quang Thiệu Nguyễn, Thanh Hùng Khoa học & công nghệ Việt Nam 2024-02-18T11:21:25Z 2024-02-18T11:21:25Z 2023 Article https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=360737 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/195104 vi Khoa học & công nghệ Việt Nam - 2023 - no.01B - tr.38 - 43 - ISSN.1859-4794 application/pdf
institution Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
collection Thư viện số
language Vietnamese
topic Khoa học & công nghệ Việt Nam
spellingShingle Khoa học & công nghệ Việt Nam
Nguyễn, Văn Sỹ
Đặng, Quang Thiệu
Nguyễn, Thanh Hùng
Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon.
format Article
author Nguyễn, Văn Sỹ
Đặng, Quang Thiệu
Nguyễn, Thanh Hùng
author_facet Nguyễn, Văn Sỹ
Đặng, Quang Thiệu
Nguyễn, Thanh Hùng
author_sort Nguyễn, Văn Sỹ
title Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon.
title_short Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon.
title_full Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon.
title_fullStr Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon.
title_full_unstemmed Thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể CsI(Tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon.
title_sort thiết kế chế tạo đầu đo nhấp nháy sử dụng tinh thể csi(tl) ghép nối với mảng nhân quang silicon.
publishDate 2024
url https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=360737
https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/195104
_version_ 1800130570591666176