Tính chất vật lý, đặc tính điện và thiết kế linh kiện của tranzito trường xuyên hầm sử dụng bán dẫn vùng cấm nhỏ
Nghiên cứu vai trò và đóng góp của trường điện định xứ và phi định xứ trong quá trình xuyên hầm nhằm hiểu rõ đặc tính điện khác nhau của TFET loại n và loại p sử dụng bán dẫn vùng cấm nhỏ; nghiên cứu cơ chế vật lý và tính chất của đặc tính mở lối ra trong TFET xuyên hầm đường sử dụng bán dẫn vùng cấ...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Bài viết |
| Ngôn ngữ: | Vietnamese |
| Được phát hành: |
Trường Đại học Đà Lạt, Bộ Giáo dục và Đào tạo
2024
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/198508 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
| Tóm tắt: | Nghiên cứu vai trò và đóng góp của trường điện định xứ và phi định xứ trong quá trình xuyên hầm nhằm hiểu rõ đặc tính điện khác nhau của TFET loại n và loại p sử dụng bán dẫn vùng cấm nhỏ; nghiên cứu cơ chế vật lý và tính chất của đặc tính mở lối ra trong TFET xuyên hầm đường sử dụng bán dẫn vùng cấm nhỏ; khảo sát ảnh hưởng phụ thuộc bề dày ô-xít tương đương (Equivalent Oxide Thickness (EOT) của biên dạng tạp chất cực nguồn (gồm nồng độ và độ biến thiên tạp chất) lên đặc tính điện của TFET đơn và lưỡng cổng sử dụng bán dẫn vùng cấm nhỏ germanium; đề xuất các cấu hình khác nhau của chuyển tiếp dị chất liên tục Si/SiGe và nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn của các TFET đó; đánh giá vai trò của việc giảm EOT trong quá trình thu nhỏ kích thước linh kiện TFET cấu trúc khối và thân mỏng |
|---|