APPLYING OPTICAL BEAM-INDUCED CURRENT IN THE CHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTOR POWER DIODES
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Nguyễn, Duy Minh |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/211012 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Tunnel-diode and semiconductor circuits
Bỡi: Carroll, John M.
Được phát hành: (1963) -
Semiconductor-Diode Parametric Amplifiers /
Bỡi: Blackwell, Lawrence A.
Được phát hành: (1961) -
Nghiên cứu ảnh hưởng của diện tích bề mặt dẫn điện và các lỗi xếp chồng đến đặc tính của điốt PiN 4H-SIC = Electrical impact characterization of anode active area and stacking-faults in 6.5kV 4H-SIC pin diodes
Bỡi: Nguyễn, Duy Minh, et al.
Được phát hành: (2023) -
THE FINITE ELEMENT METHOD (FEM) FOR TIMOSHENKO BEAM UNDER MOVING LOAD
Bỡi: Nguyễn, Văn Luật, et al.
Được phát hành: (2024) -
DYNAMIC ANALYSIS OF TIMOSHENKO BEAMS UNDER MOVING MANY LOADS AND THE EFFECT OF TEMPERATURE BY THE FINITE ELEMENT METHOD (FEM)
Bỡi: Trương, Văn Luật, et al.
Được phát hành: (2023)