Nghiên cứu hiệu ứng Stark quang học trong chấm lượng tử InN/GaN
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Phan, Thị Ái Nhị, Lê, Thị Ngọc Bảo, Đinh, Như Thảo |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | Vietnamese |
Được phát hành: |
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/212890 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
Bỡi: Đỗ, Mười, et al.
Được phát hành: (2024) -
Mô hình Fang-Howard cho khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử A/GaN/GaN
Bỡi: Đỗ, Mười, et al.
Được phát hành: (2019) -
RAMAN SPECTROSCOPY OF GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si STRUCTURES
Bỡi: Nguyen, Linh Chi, et al.
Được phát hành: (2023) -
Sự kết cặp của phonon quang dọc - plasmon trong các lớp bán dẫn InGaN
Bỡi: Dương, Đình Phước, et al.
Được phát hành: (2023) -
Japanese inn
Bỡi: Statler, Oliver
Được phát hành: (1968)