Khống chế sự hình thành tăng trưởng dạng đảo của Germani trên đế silic bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử
Đã lưu trong:
主要作者: | Lương, Thị Kim Phượng |
---|---|
格式: | Bài viết |
語言: | Vietnamese |
出版: |
2024
|
主題: | |
在線閱讀: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/215540 |
標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
相似書籍
-
Phương pháp xử lý bề mặt đế silic ở nhiệt độ thấp ứng dụng trong kỹ thuật tăng trưởng Epitaxy chùm phân tử
由: Lương, Thị Kim Phượng
出版: (2024) -
Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp Epitaxy chùm phân tử
由: Lương, Thị Kim Phượng
出版: (2023) -
KHẢO SÁT SỰ PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐẾ GaAs(100) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ
由: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
出版: (2025) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
由: Lương, Thị Kim Phượng
出版: (2023) -
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD
由: Lương, Thị Kim Phượng
出版: (2024)