Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp

কিউআর কোড

Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp

সংরক্ষণ করুন:

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:	Lương, Thị Kim Phượng, Tịnh, Trúc Ly
বিন্যাস:	প্রবন্ধ
ভাষা:	Vietnamese
প্রকাশিত:	2024
বিষয়গুলি:	Khoa học và Công nghệ (Đại học Thái Nguyên)
অনলাইন ব্যবহার করুন:	https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/215627
ট্যাগগুলো:	ট্যাগ যুক্ত করুন কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

অনুরূপ উপাদানগুলি

Silicon germanium :
অনুযায়ী: Singh, Raminderpal
প্রকাশিত: (2004)

Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
অনুযায়ী: Lương, Thị Kim Phượng, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024)

Nghiên cứu khả năng khuếch tán khí qua màng phế nang mao mạch (DLCO) ở người lao động tiếp xúc bụi silic
অনুযায়ী: Nguyễn, Ngọc Anh, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2023)

Energetic degeneracy and electronic structures of germanium trimers doped with titanium
অনুযায়ী: Phạm, Lê Nhân, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2021)

Quá trình khuếch tán
অনুযায়ী: Triệu, Nguyên Hùng
প্রকাশিত: (2008)

Phổ tán xạ Raman của MnGeAs2 /
অনুযায়ী: Nguyễn Văn Minh.

Mô phỏng động lực học phân tử đối với cấu trúc không đồng nhất và quá trình khuếch tán trong GeO2 lỏng
অনুযায়ী: Phạm, Hữu Kiên, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2023)

The new GE :
অনুযায়ী: Slater, Robert
প্রকাশিত: (1993)

Comparative mesoporous carbon materials templated by SBA-15 synthesized from different silicate sources /
অনুযায়ী: Nguyen Tien Thao.

Quá trình khuếch tán Itô :
অনুযায়ী: Phạm, Thanh Tâm
প্রকাশিত: (2010)

Ảnh hưởng của định hướng đế lên sự hình thành các màng GeMn
অনুযায়ী: Lê, Thị Giang, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2023)

Sự tồn tại nghiệm của lớp phương trình khuếch tán dị thường
অনুযায়ী: Lâm, Trần Phương Thủy
প্রকাশিত: (2023)

Physical operation and device design of short-channel tunnel field-effect transistors with graded silicon-germanium heterojunctions
অনুযায়ী: Chun-Hsing Shih, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024)

Mạch khuếch đại công suất âm tần
অনুযায়ী: Trần Hữu Tại
প্রকাশিত: (1972)

Quá trình khuếch tán và ứng dụng :
অনুযায়ী: Ngô, Thuận Dủ
প্রকাশিত: (2018)

Phương trình khuếch tán có tính đến trọng trường và khả năng khuếch tán khong khí vào vũ trụ :
অনুযায়ী: Huỳnh, Thị Phương Thuý
প্রকাশিত: (2009)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
অনুযায়ী: Lê, Thị Giang, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
অনুযায়ী: Lê, Thị Giang, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024)

ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
অনুযায়ী: Lương, Thị Kim Phượng
প্রকাশিত: (2023)

Nghiên cứu đánh giá sự giảm hiệu suất detector germanium siêu tinh khiết sau nhiều năm hoạt động /
অনুযায়ী: Võ Xuân Ân.

Ảnh hưởng của độ rỗng vi mô đến hệ số khuếch tán ion clo hữu hiệu của đá xi măng
অনুযায়ী: Nguyễn, Đình Hải, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2023)

Thực hiện mạch khuếch đại cao tần dùng MOSFET
অনুযায়ী: Phạm Thành Nghiệp
প্রকাশিত: (1972)

Mạch khuếch đại trung tần và AGC dùng transistor
অনুযায়ী: Lưu Hạnh Phúc
প্রকাশিত: (1972)

On Ge Wu : recovering the way of the great learning /
অনুযায়ী: Wang, Huaiyu.

Manuel D'hydraulique Ge'ne'rale /
অনুযায়ী: Armando lencastre
প্রকাশিত: (1973)

Arthime'tique Et Ge'ome'trie /
অনুযায়ী: Rene Cluzel
প্রকাশিত: (1944)

Vật liệu nano silic ứng dụng trong chế tạo pin mặt trời màng mỏng
অনুযায়ী: Đặng, Mậu Chiến
প্রকাশিত: (2019)

Nghiên cứu sự phân bố của nguyên tử antimony trong màng Ge/Gi đồng pha tạp Sb và P sử dụng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
অনুযায়ী: Lương, Thị Kim Phượng, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2023)

Mạch khuếch đại băng tần rộng từ 0 - 4MHz
অনুযায়ী: Trịnh Bữu Lộc
প্রকাশিত: (1973)

Một số kết quả liên quan quá trình khuếch tán :
অনুযায়ী: Võ, Hoàng Giang
প্রকাশিত: (2018)

G.E. Moore's ethical theory: Resistance and reconciliation
অনুযায়ী: Hutchinson, Brian
প্রকাশিত: (2013)

Mạch khuếch đại toán tử
অনুযায়ী: Lý Kim Hên
প্রকাশিত: (1972)

Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
অনুযায়ী: Lương, Thị Kim Phượng
প্রকাশিত: (2024)

Hiệu quả điều trị nội nha của xi-măng trám bít ống tủy gốc calcium silicate
অনুযায়ী: Trần, Ngọc Minh Duyên, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024)

Mô phỏng màng mỏng GeO2 lỏng và vô định hình bằng phương pháp động lực học phân tử :
অনুযায়ী: Nguyễn, Văn Nhật
প্রকাশিত: (2013)

Electronic band structure calculations on the antiferromagnetic ternary compounds Ce3Ni2X7(X= Ge and Sn) and CeNiGe3 /

Rath & Strong's GE Workout for Six Sigma Pocket Guide /
অনুযায়ী: Rath & Strong
প্রকাশিত: (2004)

Bibliotheque De l'enseignemet Technique .Ge'ome'trie /
অনুযায়ী: R. Oriol
প্রকাশিত: (1958)

The'orie ge'ne'rale du domaine prive' /
অনুযায়ী: Goulet Jean
প্রকাশিত: (1986)

SiGe-based Re-engineering of Electronic Warfare Subsystems
অনুযায়ী: Lambrechts, Wynand, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2020)