Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp

Codi QR

Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp

Guardat en:

Dades bibliogràfiques
Autors principals:	Lương, Thị Kim Phượng, Tịnh, Trúc Ly
Format:	Article
Idioma:	Vietnamese
Publicat:	2024
Matèries:	Khoa học và Công nghệ (Đại học Thái Nguyên)
Accés en línia:	https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/215627
Etiquetes:	Afegir etiqueta Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Ítems similars

Silicon germanium :
per: Singh, Raminderpal
Publicat: (2004)

Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
per: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
Publicat: (2024)

Nghiên cứu khả năng khuếch tán khí qua màng phế nang mao mạch (DLCO) ở người lao động tiếp xúc bụi silic
per: Nguyễn, Ngọc Anh, et al.
Publicat: (2023)

Energetic degeneracy and electronic structures of germanium trimers doped with titanium
per: Phạm, Lê Nhân, et al.
Publicat: (2021)

Quá trình khuếch tán
per: Triệu, Nguyên Hùng
Publicat: (2008)

Phổ tán xạ Raman của MnGeAs2 /
per: Nguyễn Văn Minh.

Mô phỏng động lực học phân tử đối với cấu trúc không đồng nhất và quá trình khuếch tán trong GeO2 lỏng
per: Phạm, Hữu Kiên, et al.
Publicat: (2023)

The new GE :
per: Slater, Robert
Publicat: (1993)

Comparative mesoporous carbon materials templated by SBA-15 synthesized from different silicate sources /
per: Nguyen Tien Thao.

Quá trình khuếch tán Itô :
per: Phạm, Thanh Tâm
Publicat: (2010)

Ảnh hưởng của định hướng đế lên sự hình thành các màng GeMn
per: Lê, Thị Giang, et al.
Publicat: (2023)

Sự tồn tại nghiệm của lớp phương trình khuếch tán dị thường
per: Lâm, Trần Phương Thủy
Publicat: (2023)

Physical operation and device design of short-channel tunnel field-effect transistors with graded silicon-germanium heterojunctions
per: Chun-Hsing Shih, et al.
Publicat: (2024)

Mạch khuếch đại công suất âm tần
per: Trần Hữu Tại
Publicat: (1972)

Quá trình khuếch tán và ứng dụng :
per: Ngô, Thuận Dủ
Publicat: (2018)

Phương trình khuếch tán có tính đến trọng trường và khả năng khuếch tán khong khí vào vũ trụ :
per: Huỳnh, Thị Phương Thuý
Publicat: (2009)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
per: Lê, Thị Giang, et al.
Publicat: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
per: Lê, Thị Giang, et al.
Publicat: (2024)

ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
per: Lương, Thị Kim Phượng
Publicat: (2023)

Nghiên cứu đánh giá sự giảm hiệu suất detector germanium siêu tinh khiết sau nhiều năm hoạt động /
per: Võ Xuân Ân.

Ảnh hưởng của độ rỗng vi mô đến hệ số khuếch tán ion clo hữu hiệu của đá xi măng
per: Nguyễn, Đình Hải, et al.
Publicat: (2023)

Thực hiện mạch khuếch đại cao tần dùng MOSFET
per: Phạm Thành Nghiệp
Publicat: (1972)

Mạch khuếch đại trung tần và AGC dùng transistor
per: Lưu Hạnh Phúc
Publicat: (1972)

On Ge Wu : recovering the way of the great learning /
per: Wang, Huaiyu.

Manuel D'hydraulique Ge'ne'rale /
per: Armando lencastre
Publicat: (1973)

Arthime'tique Et Ge'ome'trie /
per: Rene Cluzel
Publicat: (1944)

Vật liệu nano silic ứng dụng trong chế tạo pin mặt trời màng mỏng
per: Đặng, Mậu Chiến
Publicat: (2019)

Nghiên cứu sự phân bố của nguyên tử antimony trong màng Ge/Gi đồng pha tạp Sb và P sử dụng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
per: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
Publicat: (2023)

Mạch khuếch đại băng tần rộng từ 0 - 4MHz
per: Trịnh Bữu Lộc
Publicat: (1973)

Một số kết quả liên quan quá trình khuếch tán :
per: Võ, Hoàng Giang
Publicat: (2018)

G.E. Moore's ethical theory: Resistance and reconciliation
per: Hutchinson, Brian
Publicat: (2013)

Mạch khuếch đại toán tử
per: Lý Kim Hên
Publicat: (1972)

Nghiên cứu sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge tăng trưởng epitaxy trên đế Si(100) bằng kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
per: Lương, Thị Kim Phượng
Publicat: (2024)

Hiệu quả điều trị nội nha của xi-măng trám bít ống tủy gốc calcium silicate
per: Trần, Ngọc Minh Duyên, et al.
Publicat: (2024)

Mô phỏng màng mỏng GeO2 lỏng và vô định hình bằng phương pháp động lực học phân tử :
per: Nguyễn, Văn Nhật
Publicat: (2013)

Electronic band structure calculations on the antiferromagnetic ternary compounds Ce3Ni2X7(X= Ge and Sn) and CeNiGe3 /

Rath & Strong's GE Workout for Six Sigma Pocket Guide /
per: Rath & Strong
Publicat: (2004)

Bibliotheque De l'enseignemet Technique .Ge'ome'trie /
per: R. Oriol
Publicat: (1958)

The'orie ge'ne'rale du domaine prive' /
per: Goulet Jean
Publicat: (1986)

SiGe-based Re-engineering of Electronic Warfare Subsystems
per: Lambrechts, Wynand, et al.
Publicat: (2020)