Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
Uloženo v:
Hlavní autoři: | Lương, Thị Kim Phượng, Tịnh, Trúc Ly |
---|---|
Médium: | Článek |
Jazyk: | Vietnamese |
Vydáno: |
2024
|
Témata: | |
On-line přístup: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/215627 |
Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Podobné jednotky
-
Silicon germanium :
Autor: Singh, Raminderpal
Vydáno: (2004) -
Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
Autor: Lương, Thị Kim Phượng, a další
Vydáno: (2024) -
Nghiên cứu khả năng khuếch tán khí qua màng phế nang mao mạch (DLCO) ở người lao động tiếp xúc bụi silic
Autor: Nguyễn, Ngọc Anh, a další
Vydáno: (2023) -
Energetic degeneracy and electronic structures of germanium trimers doped with titanium
Autor: Phạm, Lê Nhân, a další
Vydáno: (2021) -
Quá trình khuếch tán
Autor: Triệu, Nguyên Hùng
Vydáno: (2008)