Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
Αποθηκεύτηκε σε:
Κύριοι συγγραφείς: | Lương, Thị Kim Phượng, Tịnh, Trúc Ly |
---|---|
Μορφή: | Άρθρο |
Γλώσσα: | Vietnamese |
Έκδοση: |
2024
|
Θέματα: | |
Διαθέσιμο Online: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/215627 |
Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Παρόμοια τεκμήρια
-
Silicon germanium :
ανά: Singh, Raminderpal
Έκδοση: (2004) -
Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
ανά: Lương, Thị Kim Phượng, κ.ά.
Έκδοση: (2024) -
Nghiên cứu khả năng khuếch tán khí qua màng phế nang mao mạch (DLCO) ở người lao động tiếp xúc bụi silic
ανά: Nguyễn, Ngọc Anh, κ.ά.
Έκδοση: (2023) -
Energetic degeneracy and electronic structures of germanium trimers doped with titanium
ανά: Phạm, Lê Nhân, κ.ά.
Έκδοση: (2021) -
Quá trình khuếch tán
ανά: Triệu, Nguyên Hùng
Έκδοση: (2008)