Hạn chế sự liên khuếch tán giữa màng Germanium và đế silic bằng màng đa lớp Ge/Carbon ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
Tallennettuna:
Päätekijät: | Lương, Thị Kim Phượng, Tịnh, Trúc Ly |
---|---|
Aineistotyyppi: | Artikkeli |
Kieli: | Vietnamese |
Julkaistu: |
2024
|
Aiheet: | |
Linkit: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/215627 |
Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Samankaltaisia teoksia
-
Silicon germanium :
Tekijä: Singh, Raminderpal
Julkaistu: (2004) -
Khống chế hiệu ứng khuếch tán ngoài của nguyên tố pha tạp bằng hàng rào khuếch tán HFO2 cho màng GE pha tạp điện tử nồng độ cao tăng trưởng trên đến Si(100)
Tekijä: Lương, Thị Kim Phượng, et al.
Julkaistu: (2024) -
Nghiên cứu khả năng khuếch tán khí qua màng phế nang mao mạch (DLCO) ở người lao động tiếp xúc bụi silic
Tekijä: Nguyễn, Ngọc Anh, et al.
Julkaistu: (2023) -
Energetic degeneracy and electronic structures of germanium trimers doped with titanium
Tekijä: Phạm, Lê Nhân, et al.
Julkaistu: (2021) -
Quá trình khuếch tán
Tekijä: Triệu, Nguyên Hùng
Julkaistu: (2008)